HSE D300 等離子體切割刻蝕機
HSE D300 Plasma Dicing Etcher
HSE D300為高密度等離子體刻蝕機，適用于6/8/12英寸硅等離子切割工藝。具備高刻蝕速率、高刻蝕均一性和角度控制能力、低顆粒控制等性能優(yōu)勢。該設(shè)備易維護、性能穩(wěn)定、客戶擁有成本低，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于先進封裝領(lǐng)域的等離子切割工藝。
設(shè)備特點
- 更高的芯片切割效率（并行切割）
- 更優(yōu)的顆粒及良率表現(xiàn)，無損傷切割
- Frame/wafer，DAG/DBG均可兼容
- 適用不同尺寸的Die及大量Die的切割
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晶圓尺寸
380mm Frame及以下
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適用材料
硅
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適用工藝
深硅等離子切割
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適用領(lǐng)域
先進封裝